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  SiCma Anlage Das SiCma System wurde speziell zur Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen (SiC) mittels physikalischen Gasphasentransports (Physical Vapor Transport, PVT) entwickelt. Dabei wird das…  
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• 9. Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD)  
  Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD) Das HTCVD-Verfahren (High Temperature Chemical Vapor Deposition) ermöglicht die Herstellung von Siliziumkarbidkristallen, die unter anderem bei der…  
• 10. Hochtemperatur-Gasphasenabscheidung (HTCVD) - Das Verfahren  
  Das Verfahren Eine feste Komponente wird auf der erwärmten Oberfläche eines Substrats als Ergebnis einer chemischen Reaktion aus der Gasphase abgeschieden. Dazu müssen gasförmige Verbindungen der…